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产品信息
NTJD4152PT1G onsemi SOT-363-6
产品信息
技术: Si 安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363-6 晶体管极性: P-Channel
通道数量: 2 Channel Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 880 mA Rds On-漏源导通电阻: 1 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 2.2 nC 工作温度: - 55 C + 150 C
Pd-功率耗散: 272 mW 通道模式: Enhancement
封装: Reel 封装: Cut Tape 封装: MouseReel
商标: onsemi 配置: Dual
下降时间: 3.5 ns 正向跨导 - 小值: 3 S
高度: 0.9 mm 长度: 2 mm 产品: MOSFET Small Signal
产品类型: MOSFET 上升时间: 6.5 ns
系列: NTJD4152P 工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs 晶体管类型: 2 P-Channel
类型: MOSFET 典型关闭延迟时间: 13.5 ns
典型接通延迟时间: 5.8 ns 宽度: 1.25 mm 单位重量: 7.500 mg
我们的团队年轻而富有朝气,勇于创新,采用国际信息
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